在全球可持续发展的背景下,低碳化已经成为各行各业的共同目标。据统计,全球二氧化碳气体排放量的23%以上来自交通运输部门。在电动汽车领域,电驱系统的低碳化尤为重要。近年来,碳化硅(SiC)模块因其优越的性能逐渐受到关注,成为电驱系统低碳化的关键技术。

碳化硅模块如何赋能电驱系统的低碳化

图 SiC模块应用于电动汽车电驱系统电机控制器
来源 车用碳化硅功率模块的电热性能优化与评估,马荣耀等

碳化硅是第三代宽禁带半导体材料之一,具有高耐压、低导通损耗、高温稳定性等优势。与第一代半导体材料硅相比,碳化硅带隙(3.26 eV)比硅(1.12 eV)大,介电击穿强度比硅高10倍、电子饱和速度是硅的2倍、热导率比硅高3倍。与传统的Si基功率器件相比,SiC器件能减少80%的晶片尺寸,降低60%的功率损耗,同时满足高集成、轻量化发展需求,大幅提升电驱系统的效率和可靠性。

碳化硅模块如何赋能电驱系统的低碳化

图 宽禁带材料SiC的优势 来源 安森美

根据Yole最新报告,2023年SiC器件全球市场规模约 27 亿美元,预计2029年将超过100亿美元,2023-2029年复合年增长率为25%。其中,纯电动汽车(EV)是SiC器件主要的市场驱动力,占据了70%以上的市场份额,包括电动汽车充电器和电源在内的工业应用为SiC器件市场规模的增长提供了进一步的动力。   

碳化硅模块如何赋能电驱系统的低碳化

图 2023年-2029年SiC功率器件市场预测 来源 Yole

电驱动系统是电动汽车的“心脏”,直接影响到整车的能源效率、续航里程等。SiC在电动汽车上主要应用于电驱动系统,包括牵引逆变器、电源转换系统(DC/DC转换器)、电源驱动系统、车载充电机(OBC)等。据统计,B级以上新能源车SiC 器件需求量约为66-150颗之间,如B级汽车Tesla Model S 仅SiC SBD 使用量已超过60颗,C级汽车小米SU7的单电机、双电机版本用SiC MOSFET分别约为64颗、112颗。因此,SiC器件是直接影响到电动汽车能源效率、续航里程的关键功率器件。

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图 SiC应用于电动汽车及充电桩 来源 方正微电子

而SiC器件的优良特性,需要通过封装与电路系统实现功率和信号的高效、高可靠连接才能得到完美展现。然而,现有的封装技术大多都是沿用Si基器件的类似封装,要充分发挥碳化硅的以上性能还有诸多关键问题亟待解决。SiC器件具有高频特性,结电容小,栅极电荷低,开关速度快,开关过程中的电压和电流的变化率极大,寄生电感在极大的 di/dt下,极易产生电压过冲和振荡现象,造成器件电压应力、损耗的增加和电磁干扰问题。

此外,寻求适应不同工况的连接材料和封装工艺;适当减少热界面层数,缩减模块体积,提升功率密度和多功能集成;采用先进散热技术、加压烧结工艺,设计功率半导体芯片一体化,优化多芯片布局等方式,是解决SiC器件高温、严寒等极端条件可靠性急剧下降、模块内部互扰、多面散热、大容量串并联、制造成本高等问题的关键。

赛米控丹佛斯作为功率半导体技术领导者,在全碳化硅功率模块方面开发了 DCM™ 和 eMPack® 两种车规级功率模块。其中DCM SiC通过基于铜线键合和烧结芯片连接的先进粘合和连接技术DBB®、获得专利的Transfer Molding 独特模塑,以及ShowerPower® 直接液冷技术,提高了SiC功率模块的功率密度、热鲁棒性、使用寿命和可靠性。

碳化硅模块如何赋能电驱系统的低碳化

eMPack® SiC MOSFET为三相全桥封装,提供高达900ARMS的电流,专为功率范围从100kW到750kW的电驱控制器架构而开发,涵盖400V和800V的电池系统。该产品将碳化硅技术与全烧结技术、低杂散电感的直接压接芯片技术(DPD)相结合,使汽车应用的高功率密度与高可靠性完美结合,无可匹敌。

碳化硅模块如何赋能电驱系统的低碳化

7月5日,赛米控丹佛斯将出席第三届功率半导体 IGBT/SiC 产业论坛,并做《碳化硅模块赋能电驱系统的低碳化》主题演讲,敬请期待!

原文始发于微信公众号(艾邦半导体网):碳化硅模块如何赋能电驱系统的低碳化

作者 li, meiyong