6月30日，据“西永微电园”官微消息，重庆三安半导体衬底厂举行主设备进场仪式，标志着重庆三安衬底工厂通线即将进入倒计时阶段。 据重庆三安基建负责人透露，项目主厂房已于去年12月完成结构封顶，今年5月完成外墙装饰，6月完成室外道路接驳，目前整体建设进度已完成95%以上，正处于设备进场安装调试的关键阶段。 三安意法碳化硅项目总规划投资约300亿元人民币，项目达产后将建成全国首条8吋碳化硅衬底和晶圆制造线，具备年产48万片8吋碳化硅衬底、车规级MOSFET功率芯片的制造能力，预计营收将达170亿人民币，将有力推动重庆打造第三代化合物半导体之都。 来源：西永微电园官微 原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：重庆三安300亿8英寸SiC衬底项目迎来新进展 文章导航 瑞霏光电碳化硅晶圆内应力检测仪介绍 江苏芯梦成功交付12 Cassette-less type槽式清洗设备
