7月9日， 天岳先进发布公告称，公司拟以简易程序向特定对象发行股票，募集资金总额不超过3亿元（含本数），扣除相关发行费用后的募集资金净额将用于投资8英寸车规级碳化硅衬底制备技术提升项目，本次发行的发行对象不超过35名（含）。
根据公告显示，本次项目主要研发方向包括碳化硅生长热场仿真、碳化硅单晶应力控制、碳化硅单晶微缺陷控制、导电型碳化硅电阻率控制等，具体内容如下图。
本次募集资金主要用于建设投资，其建设周期为 24 个月，包括厂房净化间装修改造、设备采购安装、新技术和工艺试验等三个阶段。
而在近日，上海临港管委会网站发布了上海天岳半导体材料有限公司（天岳先进子公司） “碳化硅半导体材料二期（一阶段）项目”的环评公示信息。
公示信息显示，本项目为在现有厂区内进行改扩建，主要从事碳化硅晶片的生产。上海天岳利用“现有厂区内增加生产设备开展8英寸碳化硅晶片生产线建设，并对现有6英寸碳化硅晶片部分工艺进行改造”。
上海天岳公示环评表明该公司的上海临港工厂二期8英寸碳化硅衬底产能建设已经进入实质性阶段。并披露，公司临港工厂已经达到年产30万片衬底产能规划目标。临港工厂的8英寸碳化硅总体产能规划约60万片，公司将分阶段实施。
随着碳化硅功率半导体在电动汽车、光伏、储能、5G 等领域的广泛应用，当前以 SiC 为代表的宽禁带半导体正在随着在终端领域的持续渗透而从导入期过渡到快速发展期。基于碳化硅半导体广阔的应用前景，国际领先的衬底厂商已经开始向 8 英寸碳化硅衬底产能建设布局，国际一线芯片制造厂商也纷纷计划扩大 8 英寸碳化硅晶圆制造，以争夺产业高地。
行业内领先公司 Wolfspeed 数据显示，从 6 英寸升级到 8 英寸，衬底的制备 成本虽然有所增加，但从下游晶圆制造端看，合格芯片产量可以增加 80%-90%；同时 8 英寸衬底厚度增加有助于在加工时保持几何形状、减少边缘翘曲度，降低 缺陷密度，从而提升良率，采用 8 英寸衬底可以将单位综合成本降低 50%，进一 步加快碳化硅功率器件在下游领域的渗透应用。
从国际上看，8 英寸碳化硅技术已经成为各国竞相布局的战略布局高地。本项目天岳先进以 8 英寸碳化硅衬底关键技术提升、工艺优化的研发攻关目标，进行高品质车规级 8 英寸碳化硅衬底关键技术的持续创新，以及进行工程化研发试验。
天岳先进在设计 8 英寸碳化硅单晶生长热场的基础上，合理设计晶体生长工艺， 解决大尺寸热场下的成核均匀性及诱生的微管、多型等缺陷问题，掌握低应力 8 英寸碳化硅单晶制备技术以及衬底表面超精密加工技术等，实现具有良好面型、高平整度、低粗糙度的“开盒即用”的高质量车规级碳化硅半导体衬底，实现工程化大批量稳定制备能力的技术优化提升。
原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：天岳先进拟募集3亿元投资8英寸碳化硅衬底项目
