8月28日，在艾邦2024年第六届精密陶瓷展览会（CMPE2024）同期举办的陶瓷基板产业论坛中，合肥圣达电子科技实业有限公司 中电集团专家、专业部部长 许海仙 先生将做《AlN-AMB焊接机理及其表面处理的研究》主题报告分享。欢迎各位行业朋友莅临参观交流！
演讲大纲
背景
随着宽禁带半导体氮化硅器件的发展，AMB成为其首选散热线路板，未来需求旺盛，得到国家大力支持，结合前期工业强基项目研究成果，介绍圣达科技在AlN-AMB焊接机理及表面处理方面开展的一些研究。
AlN-AMB反应机理
研究反应机理有助于了解参与反应的物质及其生存物质，对后期AlN-AMB性能提升具有指导意义，通过研究发现，平整的AlN晶粒与焊料容易反应，而二次相、AlN晶界及凹坑处难以与焊料反应，这是导致TiN反应层缺失的主要原因，TiN界面反应层缺失将产生界面气孔，可降低大尺寸AlN-AMB覆铜板的界面结合强度、热导率和可靠性。
研磨型AlN基板表面处理
通过化学处理，可以简单、快捷对氮化铝基板表面进行优化，有利于减少AlN-AMB焊接气孔，提高其剥离强度，对氮化铝基板制造有一定借鉴意义。
结论
对研究结果做了概括，并对圣达科技陶瓷覆铜板产业发展情况作了简单介绍。
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原文始发于微信公众号（艾邦陶瓷展）：合肥圣达许海仙部长：AlN-AMB焊接机理及其表面处理的研究