日本产业技术综合研究所（AIST）下属企业EDP株式会社于9月26日宣布，成功实现高浓度硼掺杂金刚石基板的大尺寸化，并已上市。
图 RB10102PP：低电阻基板10x10x0.2mm双面抛光；RB13R2PP**：低电阻最小晶圆
金刚石半导体具有优于SiC和GaN的特性，全球范围内正在推进开发。EDP在2023年8月发布了掺杂高浓度硼的金刚石，推出了两种类型的金刚石基板：低电阻自支撑金刚石基板，常规基板上形成薄膜的外延生长基板。然而，之前推出的基板尺寸为7mm×7mm，无法满足大型功率器件开发或在单一基板上制造多个器件的需求。EDP于去年11月开发了15x15mm的单晶，并开始作为种晶和基板进行销售。此次，利用这一单晶，成功扩大了低电阻基板的面积并实现了商品化。高浓度硼掺杂低电阻大尺寸自支撑基板产品尺寸包括10x10x0.2mm、13x13x0.2mm、12.5φx0.2mm等规格。基本特性与2023年8月产品化的低电阻钻石基板相同。