近日，金冠电气(688517.SH)在投资者互动平台表示，陶瓷基板和覆铜陶瓷基板产品主要应用于新能源、电动机车用的IGBT等大功率半导体芯片的封装。其核心产品避雷器的关键元器件电阻片采用先进的电子陶瓷工艺制造，性能卓越，具备低残压、高能量吸收以及优异的老化性能等特点，在此基础上，公司进一步研发泛半导体领域的先进陶瓷。
据金冠电气2024年半年报资料，金冠电气常规导热的氮化铝和氮化硅基板实验室研发已经完成，高导热的氮化铝陶瓷基板粉料选型、有机体系以及流延工艺开发完成；硅粉氮化工艺制备低成本氮化硅陶瓷基板已完成流延坯体的开发，下一步将重点研究反应烧结工艺。直接键合 DBC 覆铜基板和活性金属钎焊 AMB 覆铜基板后道蚀刻、化学镀、激光切割等工艺已打通，目前正在进行可靠性测试。
此外，在研项目碳化硅和氮化硅等陶瓷部件研发，目前原材料和设备采购以及工艺方案的制定初步完成，计划重点研究反应烧结和无压烧结工艺。目标是搭建实验线，打通实验工艺，找到适合的陶瓷部件产品并研发成功，综合性能达到国内一般水平，主要应用于半导体设备上用的陶瓷部件，如静电吸盘、真空吸盘、晶圆加热盘、基座、腔室、机械臂、机械密封等。
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