矽瓷科技两款LTCC新材料实现量产

矽瓷科技两款LTCC新材料

实现量产

    矽瓷科技经过一年多的研发，在解决了材料组成设计与优化、材料耐水性、耐酸碱性、烧结致密性、共烧银扩散、工艺放大等一些列技术和生产问题后，实现了具有超低介电常数的L4D4和高热膨胀系数、低损耗的L7AT两个LTCC新材料的量产。

两款LTCC新材料的主要性能指标

    低温共烧陶瓷(LTCC)技术是实现无源集成的关键技术之一，在无线通信、航天航空、雷达、汽车电子、半导体、医疗等领域都有着广泛的应用。在通信领域，信号高频高速传输材料要有更低的介电常数和损耗，以减少高频信号传输过程中的延时、衰减和失真。随着AI、高性能计算（HPC）等的快速发展，集成电路封装尺寸越来越大、热可靠性要求越来越高，封装基板与芯片之间（一级封装）、封装基板与PCB电路板之间（二级封装）的热膨胀的匹配性要求越来越高；另一方面，热膨胀匹配的封装基板也可以在保障可靠性的情况下提高凸点密度，从而提高集成电路和系统的性能。

    矽瓷科技L4D4材料介电常数低至4.4±0.1（@8~45 GHz），且在高达45 GHz频率下仍可保持较低的介电损耗，可满足高频高速信号传输的需要，用于微波毫米波电路基板、射频前端及射频模组等，其低热膨胀系数也使该材料有用于集成电路一级封装基板的潜力。图1是L4D4材料在不同频率下的介电性能表现。

    矽瓷科技L7AT材料最主要的特色是具有高的热膨胀系数，同时兼具优异的介电性能和高的强度，其CTE（热膨胀系数）高达12.5 ppm/℃(-50-400℃)，热膨胀系数在测试区间呈现很好的线性度，是集成电路二级封装基板的良好选择。另一方面，L7AT材料还具有优异的微波介电性能，介电损耗低至0.0005(@10GHz)，在45 GHz下介电损耗仍低于0.001，可广泛应用于滤波器、天线、射频模组、射频电路基板等，特别是在需与PCB电路板集成的大尺寸射频前端或模组等的应用更具优势。图2为L7AT材料在测试区间的热膨胀系数。

    另一方面，LTCC元器件和多层基板通常要通过镀锡或镀镍钯金来提高可焊性及可靠性。L4D4和L7AT均具有良好的耐酸碱腐蚀性能，能确保材料在化学镀/电镀的镀液环境，以及其它酸碱恶劣环境中不会因腐蚀而失效。

    浙江矽瓷科技有限公司秉承着“人才为本、自主创新，诚信立业”的经营理念，致力于先进介质陶瓷材料研究开发、规模化生产及应用技术服务。目前公司为客户提供低温共烧陶瓷（LTCC）粉体、LTCC生瓷带、配套金属浆料以及应用解决方案。我们将通过不断地技术创新，力争为客户创造更高价值。