2024年12月9日,ULVAC, Inc.(以下简称“ULVAC”)和 Silicon Austria Labs GmbH(以下简称“SAL”)联手合作开发用于大批量生产薄膜铌酸锂 (TFLN) 的等离子蚀刻工艺。
宽带宽、低损耗和高功率效率是使该材料成为满足日益增长的更高数据通信量需求的首选的关键属性。铌酸锂 (LN) 以其出色的电光、压电和非线性光学特性而闻名,使其成为光子学和电信应用的理想材料。SAL 是奥地利领先的电子和软件系统研究中心,正在实施 ULVAC 的等离子蚀刻系统型号“NLD-5700”,以推进 TFLN 的研究和开发。目标是不断推进制造工艺,这对于提高材料在 200 毫米平台上的集成度和可扩展性至关重要。
ULVAC 先进电子设备部门负责人兼高级总监岩井治憲(Harunori Iwai)表示:ULVAC 对光学器件领域的发展充满信心,并将其视为未来发展的重要领域。与 SAL 的合作至关重要,我们将利用我们在化合物领域的多年经验,全力支持 SAL 的研发。ULVAC 独特的等离子技术,加上我们在集成光子学方面的专业知识,将推动新兴领域的创新,此次合作彰显了我们致力于推进技术突破并提供有益于整个微电子生态系统的解决方案的承诺。
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