近日，湖北芯中达材料科技有限公司（以下简称“芯中达”）完成数百万元天使轮融资，本轮投资由武汉市江夏科技投资集团有限公司的天使投资基金直投，资金将主要用于高热导率氮化铝陶瓷基板的研发、中试量产和市场拓展。此次融资标志着芯中达向高导热氮化铝陶瓷产品量产迈出了重要一步。
一、项目简介
当前,功率器件与半导体器件不断向大功率、小型化、集成化、多功能方面前进,对封装基板性能提出更高的要求。氮化铝陶瓷基板具有高热导率、耐高温、较低热膨胀系数、高机械强度、耐腐蚀以及绝缘性能好,耐辐射的优点,在其广泛的应用场景中有着不可替代的作用，市场前景广大。
芯中达成立于2023年9月，是一家专注于高热导率氮化铝（AlN）陶瓷产品研发与制造的创新型科技企业。公司立足武汉理工大学优势的材料学科，面向电子材料领域，以突破性技术为核心，致力于解决半导体封装、功率器件及高端电子系统散热瓶颈问题，助力人工智能、5G通信、新能源汽车等前沿产业的高效发展。
二、创始团队
芯中达创始人,CEO刘志哲，本硕博均毕业于武汉理工大学，现为武汉理工大学陶瓷梦工场场长，曾获得第十届“创青春”中国青年创新创业大赛(科技创新专项)全国金奖，中国国际“互联网 +”大学生创新创业大赛银奖，中国国际大学生创新大赛铜奖、武汉市英雄杯创新创业大赛一等奖等多项荣誉。
芯中达核心合伙人，CTO周博士本硕博均毕业于武汉理工大学，发表多篇SCI文章，拥有多年产业研发经验，主持国家自然科学基金资助项目和中国博士后科学基金第74批面上资助项目，现阶段已成为研发端核心合伙人。
芯中达核心合伙人，CMO郭翔本科毕业于日本千叶大学半导体纳米材料专业，硕士毕业于日本东京大学半导体精密计测专业，硕士毕业后成为某大型公司日本事务部产品经理和高级客户经理，拥有丰富的市场经验。现阶段已成为市场端核心合伙人。
芯中达建立拥有一支由材料科学领域博士后、博士等人才组成的团队，聚焦氮化铝基板的量产工艺优化，掌握核心配方和工艺，热导率突破250.989 W/m·K，达到国际先进水平！已申请多项核心发明专利，涵盖流延成型、烧结等多方面的工艺设计、界面增强及缺陷控制技术，形成技术护城河。
融资后，资金重点投入到技术研发和中试量产方面。力求在与武汉中科先进材料科技有限公司的合作下，尽快做出高热导率、高良率的氮化铝陶瓷产品，为电子元件和半导体设备散热功用贡献芯中达力量。
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