随着LED技术的快速发展，功率型LED在照明、显示、汽车电子等领域的应用日益广泛。然而，功率型LED在工作时会产生大量热量，若散热问题得不到有效解决，将直接影响其光效、寿命和可靠性。在LED散热通道中，封装基板是连接内外散热通路的关键环节，需兼有散热通道、电路连接和对芯片进行物理支撑的功能。而DPC基板（直接镀铜陶瓷基板）凭借高导热、高精度线路和优异平整度，完美适配功率型LED封装需求。
一、DPC工艺流程
DPC 陶瓷基板制备工艺：首先利用激光在陶瓷基片上制备通孔 (孔径一般为 60 μm ~ 120 μm)，随后利用超声波清洗陶瓷基片；采用磁控溅射技术在陶瓷基片表面 沉积金属种子层 (Ti/Cu)，接着通过光刻、显影完成线路层制作；采用电镀填孔和增 厚金属线路层，并通过表面处理提高基板可焊性与抗氧化性，最后去干膜、刻蚀种子 层完成基板制备。
DPC工艺流程图
二、DPC工艺与功率型LED适配点
DPC基板具备线路精准度高、表面平整度高等特性以及与LED芯片材料相匹配的热膨胀系数，因此成为功率型LED封装的理想选择。不仅能够满足小尺寸、高密度封装的设计需求，还能在高功率、高温环境下保持稳定性能，为功率型LED的高效散热和长期可靠性提供了强有力的支持。因此，DPC适用于功率型LED覆晶/共晶工艺，以下是DPC工艺与功率LED的适配点：
图 DPC基板用于LED封装
1、线路精度高：
DPC陶瓷基板采用半导体微加工技术，陶瓷基板上金属线路更加精细（线宽/线距低至30μm~50μm，与线路层厚度相关），因此DPC陶瓷基板非常适合功率型LED的应用需求 。
2、表面平整度高：
采用电镀生长控制线路层厚度（一般为10μm~100μm），并通过研磨降低线路层表面粗糙度，满足高温、大电流器件封装需求；
3、成本低：
低温制备工艺（300℃以下）避免了高温对基片材料和金属线路层的不利影响，同时也降低了生产成本。
4、便于封装:
采用激光打孔和电镀填孔技术，实现了陶瓷基板上下表面垂直互连，可实现电子器件三维封装与集成，降低器件体积；可有效满足倒装共晶、 COB (板上芯片封装)、CSP (芯片尺寸封装) 等技术白光 LED 封装需求。
5、高导热性
功率型LED在工作时会产生大量热量，若散热不良会导致光效下降、寿命缩短。DPC基板采用高导热陶瓷材料（如Al₂O₃或AlN），导热性能优异，能快速将热量从LED芯片传导至外部，确保LED稳定工作。
6、绝缘性好：
功率型LED工作电压较高，要求基板具有良好的电气绝缘性。DPC基板的陶瓷层绝缘性能优异，能够有效防止漏电和短路。
7、热膨胀系数小：
功率型LED在工作时会产生热胀冷缩，若基板与芯片材料的热膨胀系数不匹配，会导致热应力问题。DPC基板的热膨胀系数与LED芯片材料（如GaN、Si）接近，能够减少热应力，提高可靠性。
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