在半导体行业，Si3N4（氮化硅）一直被誉为“六边形战士”，凭借其卓越的耐压、耐腐蚀、硬度和稳定性等特性，成为第三代半导体的首选基材。无论是在电力电子、5G通信还是新能源汽车领域，Si3N4的应用均有望成为推动技术革新的核心驱动力。但与此同时，Si3N4导热率一直是业界的痛点，成为制约其在半导体材料领域适用发展的短板。
然而，市场上现有的高导热Si3N4几乎由日本企业垄断，最高导热系数也仅有90W/m·K。这一瓶颈在业内被视为材料领域的“珠穆拉玛峰”，许多企业和科研机构都在努力试图攻克这一难关。
富乐华功率半导体研究院突破了这一技术瓶颈，成功研发出导热系数高达110W/m·K的Si3N4陶瓷载板，领先业内。这一创新不仅保持了Si3N4的其他越性能，而且将导热率提升了20%，为高功率半导体器件提供了更为卓越的热管理能力。这一技术突破，标志着富乐华在国内外半导体材料领域的技术领先地位，也让我们骄傲地将国旗插在陶瓷载板的“珠穆拉玛峰”上。
这一进展的意义不仅在于技术本身的突破，更在于全产业链自主知识产权和国产化可控，这为我国半导体行业的独立创新和技术自信奠定了坚实基础。富乐华的研发创新打破了国外技术垄断，有助于推动中国半导体材料从追随者走向领跑者。
高导热Si3N4在新能源汽车中会有更广阔市场
我们期待，未来通过持续的技术研发和创新，富乐华不仅能够为全球半导体产业发展注入新的动力，更能够为促进中国成为全球半导体材料的引领者贡献力量！
长按识别二维码关注公众号，点击下方菜单栏左侧“微信群”，申请加入交流群。
